f_T相关论文
叙述了ＳｉＧｅ／Ｓｉ异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的设计考虑，双台面结构的制作方法，并制作出ｆ_Ｔ为９ＧＨｚ的ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ。同时根据对不同尺寸ＨＢＴ的测试结果得到分布参数是影响ｆ_Ｔ的重要......
日本富士通公司采用ＭＯＣＶＤ方法在Ｉｎｐ衬底上生长晶格匹配Ｉｎ 0 .52Ａ10 .4 8Ａｓ/Ｉｎ 0 .53Ｇａ 0 .4 7ＡｓＨＥＭＴ。这种ＨＥＭＴ的 50ｍｍＴ型Ｔｉ/Ｐｅ/Ａｕ栅制作可在小于 30 0℃下进行 ,并遏制Ｓｉ......
美国 IBM 公司已研制成 f_(max)为285GHz 和 f_r 为207GHz SiGe HBT。尺寸为0.12×2.5μm~2的晶体管线性电流为1.0mA/μm(8.3mA/......
在 12 5 m m标准 CMOS工艺线上 ,对标准 CMOS工艺经过一些必要的改动后 ,研制出了多叉指功率 Si GeHBT.该器件的 BVCBO为 2 3V .在......
在蓝宝石衬底上用MOCVD技术生长的AlGaN/GaN结构上制作出0.25μm栅长的高电子迁移率功率晶体管.0.25μm栅长的单指器件测到峰值跨......
研究了一款高性能的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管器件(HEMT),器件基于在蓝宝石衬底上外延生长的AlGaN/GaN异质结构HEMT材料,器件栅......
针对毫米波电路对大电流、高截止频率器件的要求,利用平坦化技术,设计并制作成功了结构紧凑的四指合成InGaAs/InP异质结双极晶体管......
贝尔实验室最近制成一种组合晶体管,由低功率晶体管、电阻和别的电路元件组成,它的增益-带宽乘积比同类晶体管高三倍。这种新的设......
一、 在电视机高频调谐电路和中放电路中都使用一种正向自动增益控制(Forward AGC)晶体管。这种晶体管的特点是其功率增益随工作......
报道了具有最高单位电流增益截止频率(f_T)的Si异质结双极晶体管(HBT)的制作。器件的f_T值达75GHz,集电极-基极偏压1V,本征基区层......
ＡｌＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ／ＧａＡｓ ＨＢＴ，ｆ_Ｔ高达２４５ＧＨｚ《ＩＥＥＤＩＪ》１９９３年第１２期报道了一种新的ＨＢＴ，采用ＡＩＧａＡｓ－ＩｎＧａＰ发射区结构。该结构在发射极形成一个电子发射器，产生速度过冲效应。它一方面增强了发射极输......
从速度、集成度、功耗和成本等几个方面深入的分析了利用标准CMOS工艺来设计开发高速模拟器件和混合处理芯片的现状及发展潜力.......
<正> 晶体管在射频段使用时人们最感兴趣的h参数是:晶体管短路输入阻抗hi、晶体管开路输出导纳h0和晶体管短路电流放大系数hfo关于......
